SJ 50033.78-1995 半导体分立器件.CS0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
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ID： |
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文件大小(MB)： |
0.48 |
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页数： |
13 |
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日期： |
2024-7-28 |
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CJ,.中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/78-1995,半导体分立器件,CS0464型珅化钱微波场,效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS0464 GaAs microwave FET,199555-25 发布 1995.1*01 实施,中华人民共和国电子工业部 批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS0464型珅化镇微波场 SJ 50033/78-1995,效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS0464 GaAs microwave FET,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS0464型碑化镇微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制,生产和釆购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33 L3用的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母,GP、GT和GCT表示,2弓I用文件,GB 4586-84场效应晶体管测试方法,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试睑方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料为可伐合金,引线表面镀金,3.2.2 器件结构,中华人民共和国电子工业部!995 05 25发布 !995-12-0I实施,[ ---,SJ 50033/78-1995,采用神化傢N型沟道肖特基势垒栅结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸见图!〇,mm,7寸,符夂最小值标称值最大值,A 一— 2.5,わ0.5 一0.8,へ0.5 — 0.8,C 0.09 一0.15,F 0 5 — 0,7,K 2.35 一2.65,L 2.0 — *,铲J5 — L7,Q — — 0-9,q 6,0 — 6.2,$ 3。— 3」,5 8.3 — 8.7,2.35 一2.65,引出端极性:sー底座G-2 D-1,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,注:1)当Tc>25匕时,按7 3mW/七线性降额,PN,Tc = 251c,(W),/s,(V),Vgdo,(V),^GSO,(V),厶,(mA),丁出,(t),J,(V),1 1 12 -12 -12 『ESS 175 -65-175,2,SJ 50033/78-1995,3.3.2 主要电特性（77=25じ）,ヘぐ数,ゝ数、4,型号、,loss,(mA),%s(的,(V),Jfml,(mS),P,(mW),Gp,(dB),f.,(GHz),R(也)］丁 e,(匕/W),33V,Vgs = 0V,外二3V,Ip = 5mA,%s = 3V,vcs=o,-iv,Vre = 7 - 8V, ID = 100 ~ 150mA,P, =60mW(CS0464A.C),P, =40mW(CS0464B),CS0464A,150-400 一 2---- 5 >50 >200,>5,12,CS0464B >7 136.4,CS0464C >5 18,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的要求,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定。制造厂可省略器件上的下列标志:,a.器件型号;,b,产品保证等级;,c.制造厂厂名,代号或商标;,d.检验批识别代码,4质量保证规定,4.1 抽样和检験,抽样和检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检脸应符合GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT、GCT级）,筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定进行,下面测试应按本规范表1进行,超过本规范表!极限值的器件应予剔除,筛 选,（见GJB 33的表2）,测 试 或 试 脸,3热冲击-65T0C,6高温反偏Ta = 150 匕,1 =48h,ゾgss = - 6*5V, 7中间电参数『G3S1，g厠，ビ网团,8功率老化见4.3.I,3,SJ 50033/78-1995,续表,筛 选,（见GJB 33的表2）,测 试 或 试 验,9最后测试按本规范表1的A2分组;,△gmi岂初始值的士15%;,AVgsimエ初始值的士 15%或。,5V,取较大者;,Moss!《初始值的100%或0 05mA,取较大者,4.3.I 功率老化条件,功率老化条件如下:,Tc = 70 ± 5C;Ptot = 0.8Wt = 8VO,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4,4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4,5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定.,4.5.I 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1条的规定,表1 A组检验,检験或试验,方法,GB 4586,条 件LTPD 符号,极限值,单位,最小最大,A1分第,外观及机械检睑GJB 128,2071,5,A2分组,栅一源截止电压,栅一源短路下的漏,极电流,根1源短路下的棚,极裁止……
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